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铌酸锂-异质压电单晶薄膜

产品详情


300-900纳米 铌酸锂单晶薄膜

顶层器件层

尺寸

3, 4, (6) 英寸

切向

X, Z, Y切等

材料

铌酸锂

厚度

300-900 纳米

掺杂(可选)

掺镁

埋层

材料

二氧化硅

厚度

1000-4000 纳米

基底

材料

硅、铌酸锂、石英、熔融石英等

厚度

400-500 微米

电极层(可选)

材料

铂金,金,铬

厚度

100-400 纳米

位置

在顶层器件层与埋层之间或埋层与基底之间


应用方向


· 光纤通讯       · PPLN   

· 非线性光学    · 探测器  

· 铁电存储       · XBAR   


铌酸锂-异质压电单晶薄膜
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